Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- RS Stock No.:
- 165-5613
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGB10N60TATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB23,123.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB24,742.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB23.123 | THB23,123.00 |
| 2000 - 3000 | THB22.429 | THB22,429.00 |
| 4000 + | THB21.757 | THB21,757.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5613
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGB10N60TATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 110 W | |
| Package Type | D2PAK (TO-263) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 10 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 110 W | ||
Package Type D2PAK (TO-263) | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Collector-emitter voltage range 600 to 650V
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- Fairchild ISL9V5036S3ST IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- STMicroelectronics STGB18N40LZT4 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- Fairchild FGB3440G2_F085 IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- onsemi HGT1S10N120BNST IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- Littelfuse NGB8207ABNT4G IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
