STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

RS Stock No.:: 168-7720
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGB10NC60KDT4
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB36,016.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB38,537.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB36.016	THB36,016.00
2000 - 3000	THB34.936	THB34,936.00
4000 +	THB33.888	THB33,888.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-7720
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGB10NC60KDT4
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	20A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	65W
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.5V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	STGx10NC60KD
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	10.4mm
	Height	4.6mm
	Width	9.35 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 20A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 65W
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.5V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series STGx10NC60KD
	Standards/Approvals RoHS
	Length 10.4mm
	Height 4.6mm
	Width 9.35 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง