Infineon, N-Channel IGBT, 35 A 1.2 kV, 23-Pin Module, Chassis

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
232-6706
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP35R12N2T7B11BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

35A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

7

Package Type

Module

Mount Type

Chassis

Channel Type

N

Pin Count

23

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

45mm

Series

FP35R12N2T7_B11

Standards/Approvals

No

Length

107.5mm

Height

21.3mm

Automotive Standard

No

The Infineon's EconoPIM 2, 35 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง