Infineon, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 23-Pin Module, Chassis
- RS Stock No.:
- 232-6706
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP35R12N2T7B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*
THB27,044.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28,937.17
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB2,704.408 | THB27,044.08 |
| 20 - 20 | THB2,623.274 | THB26,232.74 |
| 30 + | THB2,544.566 | THB25,445.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6706
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP35R12N2T7B11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 35A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Chassis | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 23 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 107.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 45 mm | |
| Height | 21.3mm | |
| Series | FP35R12N2T7_B11 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 35A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 7 | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Chassis | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 23 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 107.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 45 mm | ||
Height 21.3mm | ||
Series FP35R12N2T7_B11 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's EconoPIM 2, 35 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density