onsemi HGT1S10N120BNST, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 3-Pin TO-263, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB413.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB442.028

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 480 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 198THB206.555THB413.11
200 - 398THB201.385THB402.77
400 +THB198.295THB396.59

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
807-6660
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
HGT1S10N120BNST
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

35A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

298W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.45V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

NPT

Automotive Standard

No

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง