STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Dual Gate IGBT, 84 A 650 V, 7-Pin HU3PAK, Surface Mount
- RS Stock No.:
- 285-637
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGHU30M65DF2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 600 ชิ้น)*
THB68,293.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB73,074.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 600 + | THB113.822 | THB68,293.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 285-637
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGHU30M65DF2AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 84 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 441 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Configuration | Dual Gate | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 7 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 84 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 441 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Configuration Dual Gate | ||
Package Type HU3PAK | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 7 | ||
This STMicroelectronics device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature TJ = 175 °C
6 μs of minimum short circuit withstand time
Tight parameter distribution
Safer paralleling
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
6 μs of minimum short circuit withstand time
Tight parameter distribution
Safer paralleling
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Dual Gate IGBT 7-Pin HU3PAK, Surface Mount
- STMicroelectronics SCT0 Power MOSFET 650 V, 7-Pin HU3PAK SCT027HU65G3AG
- STMicroelectronics 650 V 30 A Schottky Diode SiC Schottky 7-Pin HU3PAK STPSC30G065L2Y
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK STHU65N050DM9AG
- STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1200 V, 7-Pin HU3PAK SCT019HU120G3AG
- STMicroelectronics STHU36N Type N-Channel MOSFET 600 V, 7-Pin HU3PAK STHU36N60DM6AG
