Infineon BFQ19SH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 120 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-89

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
260-5067
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFQ19SH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

120mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-89

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

3V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Transition Frequency ft

5.5GHz

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.5 mm

Series

BFQ

Height

1.5mm

Length

4mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon silicon bipolar RF transistor are suitable for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems.

Pb free package

For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง