Infineon BFQ19SH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 120 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-89
- RS Stock No.:
- 260-5067
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFQ19SH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB128.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB137.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB12.811 | THB128.11 |
| 50 - 90 | THB11.811 | THB118.11 |
| 100 - 240 | THB9.971 | THB99.71 |
| 250 - 490 | THB9.039 | THB90.39 |
| 500 + | THB7.812 | THB78.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-5067
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFQ19SH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 120mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 5.5GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 3V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | BFQ | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 4mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 120mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-89 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Transition Frequency ft 5.5GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 3V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series BFQ | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 4mm | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon silicon bipolar RF transistor are suitable for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems.
Pb free package
For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems