Infineon RF Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 13 V, 4-Pin TSFP-4-1
- RS Stock No.:
- 259-1445
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP650H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB27,726.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,667.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB9.242 | THB27,726.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1445
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP650H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 150mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 13V | |
| Package Type | TSFP-4-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 42GHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 110 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Series | BFP | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.9mm | |
| Length | 2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 150mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 13V | ||
Package Type TSFP-4-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Maximum Transition Frequency ft 42GHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Minimum DC Current Gain hFE 110 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Series BFP | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.9mm | ||
Length 2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high linearity low noise SiGe:C NPN RF transistor, It is easy to use Pb-free (RoHS compliant) standard package with visible leads.
Driver amplifier
ISM bands 434 and 868 MHz
1.9 GHz Cordless phones
CATV LNA
Transmitter driver amplifier
Output stage LNA for Active antennas
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFP650H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.2 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 15 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 13 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP520H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon BFP740H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4.2 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon BFP420FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 15 V, 4-Pin TSFP-4-1