Infineon BFR182E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB119.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB127.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,075 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB4.76THB119.00
50 - 75THB4.662THB116.55
100 - 225THB3.30THB82.50
250 - 975THB3.236THB80.90
1000 +THB2.015THB50.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-7726
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-40-491
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFR182E6327HTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

35mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.4 mm

Height

1mm

Length

2.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFR182

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง