Infineon BFQ790H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 250 mA NPN, 5 V, 4-Pin SOT-89
- RS Stock No.:
- 216-8358
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFQ790H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB413.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB442.415
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 7,195 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | THB82.694 | THB413.47 |
| 250 - 495 | THB80.626 | THB403.13 |
| 500 + | THB79.386 | THB396.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 216-8358
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFQ790H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 250mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 5V | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 6.1V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1.85GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 4.5mm | |
| Series | BFQ790 | |
| Height | 2mm | |
| Width | 2.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 250mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 5V | ||
Package Type SOT-89 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 6.1V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 1.85GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 4.5mm | ||
Series BFQ790 | ||
Height 2mm | ||
Width 2.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BFQ series is a single stage high linearity and high gain driver amplifier based on NPN silicon germanium technology. It is used in commercial and industrial wireless infrastructure, ISM band medium power amplifiers and drivers, automated test equipment, UHF television, CATV and DBS.
High gain
High maximum RF input power
High compression point
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon RF Bipolar Transistor 5 V, 4-Pin SOT-89
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-89
- Infineon BFQ19SH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 3-Pin SOT-89
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 15 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
