STMicroelectronics 650 V 6 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC6G065D
- RS Stock No.:
- 719-665
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC6G065D
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB37.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB40.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB37.63 |
| 25 - 99 | THB33.67 |
| 100 - 499 | THB30.20 |
| 500 - 999 | THB24.26 |
| 1000 + | THB23.76 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-665
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC6G065D
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Schottky Diode | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 6A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Silicon Carbide Schottky Diode | |
| Series | STPSC | |
| Rectifier Type | SiC Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 410A | |
| Peak Reverse Current Ir | 240μA | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.75mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Schottky Diode | ||
Mount Type Through Hole | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 6A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Silicon Carbide Schottky Diode | ||
Series STPSC | ||
Rectifier Type SiC Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 410A | ||
Peak Reverse Current Ir 240μA | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.75mm | ||
Height 4.6mm | ||
Width 10.4 mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
No reverse recovery charge in application current range
Switching behaviour independent of temperature
High forward surge capability
ECOPACK2 compliant component