STMicroelectronics 650 V 10 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC10G065DY
- RS Stock No.:
- 719-660
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC10G065DY
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB61.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB65.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB61.39 |
| 10 - 24 | THB53.96 |
| 25 - 99 | THB48.52 |
| 100 - 499 | THB39.11 |
| 500 + | THB38.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-660
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC10G065DY
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Schottky Diode | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Silicon Carbide Schottky Diode | |
| Series | STPSC | |
| Rectifier Type | SiC Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 650A | |
| Peak Reverse Current Ir | 425μA | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.75mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Schottky Diode | ||
Mount Type Through Hole | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Silicon Carbide Schottky Diode | ||
Series STPSC | ||
Rectifier Type SiC Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 650A | ||
Peak Reverse Current Ir 425μA | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.75mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Height 4.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions.
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
None or negligible reverse recovery charge in application current range
Switching behaviour independent of temperature
High forward surge capability
ECOPACK2 compliant component
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 650 V 20 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC20G065DY
- STMicroelectronics 650 V 30 A Schottky Diode SiC Schottky 7-Pin HU3PAK STPSC30G065L2Y
- Nexperia 650 V 10 A Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 PSC1065KQ
- STMicroelectronics 650 V 10 A Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-220AC
- STMicroelectronics 650 V 10 A Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-220AC STPSC10065D
- ROHM 650 V 4 A Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220FM-2LGE SCS304AMC7G
- ROHM 650 V 8 A Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220FM-2LGE SCS308AMC7G
- Vishay 650 V 12 A Rectifier & Schottky Diode SiC Schottky 3-Pin D2PAK VS-3C12ET07S2L-M3