STMicroelectronics 650 V 10 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC10G065D
- RS Stock No.:
- 719-659
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC10G065D
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB53.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB57.21
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB53.47 |
| 10 - 24 | THB47.03 |
| 25 - 99 | THB42.08 |
| 100 - 499 | THB34.16 |
| 500 + | THB33.67 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 719-659
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC10G065D
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Product Type | Schottky Diode | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Series | STPSC | |
| Diode Configuration | Silicon Carbide Schottky Diode | |
| Rectifier Type | SiC Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 650A | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Peak Reverse Current Ir | 425μA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.6mm | |
| Length | 15.75mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Mount Type Through Hole | ||
Product Type Schottky Diode | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Series STPSC | ||
Diode Configuration Silicon Carbide Schottky Diode | ||
Rectifier Type SiC Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 650A | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Peak Reverse Current Ir 425μA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.6mm | ||
Length 15.75mm | ||
Width 10.4 mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions.
None or negligible reverse recovery charge in application current range
Switching behaviour independent of temperature
High forward surge capability
ECOPACK2 compliant component