DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel MOSFET, 7.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMHC3025LSD-13
- RS Stock No.:
- 823-3211
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMHC3025LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB229.82
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB245.91
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 24,060 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB22.982 | THB229.82 |
| 630 - 1240 | THB22.406 | THB224.06 |
| 1250 + | THB22.061 | THB220.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 823-3211
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMHC3025LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Transistor Configuration | Full Bridge | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Width | 3.95 mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 4.95mm | |
| Number of Elements per Chip | 4 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Transistor Configuration Full Bridge | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Width 3.95 mm | ||
Height 1.5mm | ||
Length 4.95mm | ||
Number of Elements per Chip 4 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 7.8 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 850 mA 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 850 mA 8-Pin SOIC ZXMHC10A07N8TC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 4.98 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 4.98 A 8-Pin SOIC ZXMHC3F381N8TC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 3.1 A 8-Pin
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 3.1 A 8-Pin ZXMHC3A01T8TA
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin SOIC
