DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 122-1421
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ZXMHC10A07N8TC
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB63,317.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB67,750.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB25.327	THB63,317.50
5000 - 7500	THB24.567	THB61,417.50
10000 +	THB23.83	THB59,575.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 122-1421
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ZXMHC10A07N8TC
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	850mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.45mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.36W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.9nC
	Forward Voltage Vf	0.95V
	Transistor Configuration	Full Bridge
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Width	4 mm
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	4
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 850mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.45mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.36W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC
	Forward Voltage Vf 0.95V
	Transistor Configuration Full Bridge
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Width 4 mm
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 4
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel MOSFET, 850 mA, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง