Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 11 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU9024NPBF

RS Stock No.:: 541-1657
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFU9024NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 11 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU9024NPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB20.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

268 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 2,895 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 18	THB20.79
19 - 37	THB20.27
38 +	THB19.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 541-1657
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFU9024NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	175mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	38W
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	6.22mm
	Width	2.39 mm
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type IPAK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 175mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 38W
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 6.22mm
	Width 2.39 mm
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 11A Maximum Continuous Drain Current, 38W Maximum Power Dissipation - IRFU9024NPBF

This P-channel MOSFET is intended for high-efficiency power management applications. It has a maximum continuous drain current of 11A and a maximum drain-source voltage of 55V, adept at handling significant loads while ensuring reliability in various operational conditions. Its through-hole mounting type allows for seamless integration into existing designs, making it a key component for professionals in automation and electronics.

Features & Benefits

• Low Rds(on) of 175mΩ enhances energy efficiency

• Maximum power dissipation of 38W supports robust performance

• Single transistor configuration simplifies design processes

• Complies with lead-free standards for environmentally conscious applications

Applications

• Suitable for power supplies and conversion circuits

• Utilised in motor control systems for effective operation

• Integrated into battery management systems for improved performance

• Applicable in automotive environments for dependable power handling

• Ideal for industrial automation equipment requiring robust performance

What is the temperature range for stable operation?

The component operates effectively within a temperature range of -55°C to +150°C, ensuring reliable performance in various environments.

How can it handle high power loads efficiently?

With a maximum power dissipation of 38W and low Rds(on) of 175mΩ, it manages high power loads with minimal energy loss.

Is it compatible with a standard PCB layout?

Yes, the through-hole mounting type is compatible with standard PCB layouts, facilitating straightforward integration.

What criteria should be considered for gate voltage?

A gate-source voltage range of -20V to +20V provides flexibility; optimum performance is achieved at 10V for effective operation.

How does it contribute to efficiency in power management?

Its low on-resistance and high current capability maximise efficiency in various power management scenarios.