Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 40 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 919-4915
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF5210PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB129.90
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,988.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,197.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 850 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | THB59.76 | THB2,988.00 | - |
| 100 - 150 | THB58.461 | THB2,923.05 | THB129.90 |
| 200 + | THB57.162 | THB2,858.10 | THB519.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 919-4915
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF5210PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 8.77mm | |
| Length | 10.54mm | |
| Width | 4.69mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 8.77mm | ||
Length 10.54mm | ||
Width 4.69mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET Series MOSFET, 40A Maximum Continuous Drain Current, 200W Maximum Power Dissipation - IRF5210PBF
Features & Benefits
Applications
What is the maximum operating temperature for this component?
How does the low on-resistance benefit circuit performance?
Is this suitable for applications in automotive systems?
What kind of circuit configurations can it be integrated into?
How should it be installed to ensure optimal performance?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF5210PBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
