Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 230 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 249-6869
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF6215
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB5,408.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,786.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB108.167 | THB5,408.35 |
| 100 - 100 | THB104.597 | THB5,229.85 |
| 150 + | THB101.146 | THB5,057.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6869
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF6215
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 230A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 230A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.
Advance planner technology
LowOn-Resistance
Dynamic dV/dT Rating
175 C operating temperature
Fast switching
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 AUIRF6215
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220