Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 40 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF5210PBF
- RS Stock No.:
- 541-1720
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 303-41-280
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF5210PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB94.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB101.44
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 219 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 12 | THB94.80 |
| 13 - 64 | THB92.45 |
| 65 + | THB76.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 541-1720
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 303-41-280
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF5210PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.54mm | |
| Width | 4.69 mm | |
| Height | 8.77mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Distrelec Product Id | 30341280 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.54mm | ||
Width 4.69 mm | ||
Height 8.77mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Distrelec Product Id 30341280 | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 40A Maximum Continuous Drain Current, 200W Maximum Power Dissipation - IRF5210PBF
This MOSFET is designed for various electrical and electronic applications. It is optimised for high efficiency, supporting automation and control systems where effective power management is crucial. Its robust specifications enable precise circuit control, ensuring reliability and efficiency in challenging environments.
Features & Benefits
• 40A continuous drain current accommodates high-power applications
• 100V maximum drain-source voltage provides operational versatility
• P-channel design simplifies circuit configuration
• Enhancement mode functionality facilitates efficient power management
• High maximum power dissipation capability enhances thermal performance
Applications
• Power switching in industrial automation
• DC-DC converters for efficient power supply
• Motor control circuits for precision
• Peak power handling scenarios in electronics
What is the maximum operating temperature for this component?
The component can operate at a maximum temperature of +175°C, making it suitable for high-temperature applications.
How does the low on-resistance benefit circuit performance?
The low on-resistance results in reduced power losses, leading to enhanced energy efficiency and improved thermal management.
Is this suitable for applications in automotive systems?
Yes, its robust specifications and thermal characteristics make it suitable for automotive applications where reliability is essential.
What kind of circuit configurations can it be integrated into?
This component integrates seamlessly into various configurations, including single and parallel arrangements, allowing for design flexibility.
How should it be installed to ensure optimal performance?
Ensure proper thermal contact with a heatsink, and adhere to recommended PCB layout guidelines to enhance performance and reliability.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9540NPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9530NPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin I2PAK
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
