Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 47 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 919-4814
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLZ44NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 47 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,021.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,093.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB20.435	THB1,021.75
100 - 150	THB19.99	THB999.50
200 +	THB19.546	THB977.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4814
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLZ44NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	8.77mm
	Width	4.69 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.54mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 8.77mm
	Width 4.69 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.54mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 47A Maximum Continuous Drain Current, 110W Maximum Power Dissipation - IRLZ44NPBF

This high-performance N-channel MOSFET from Infineon is designed for efficient switching and substantial power handling in electronic systems. Utilising advanced HEXFET technology, it caters to various semiconductor applications, making it suitable for professionals in automation, electronics, and electrical engineering seeking robust performance in power management.

Features & Benefits

• Supports continuous drain current up to 47A for effective power delivery

• Operates at a drain-source voltage of 55V, enhancing application versatility

• Maximum power dissipation of 110W optimises thermal management

• Enhancement mode design ensures effective switching and control

• Low gate threshold voltage range of 1V to 2V facilitates control with minimal drive voltage

• High current handling with a low on-resistance of 22mΩ improves efficiency

Applications

• Power supply circuits requiring efficient load switching

• DC-DC converters in renewable energy systems

• Automotive demanding high performance

• Motor control systems for enhanced operational efficiency

• Lighting systems requiring precise power regulation

What is the operating temperature range of the device?

The device functions effectively within a temperature range of -55°C to +175°C, ensuring reliability in various environmental conditions.

How should this be mounted for optimal performance?

It is designed for through-hole mounting in a TO-220AB package, enabling effective heat dissipation during operation.

Can it be used with other power management components?

Yes, it is compatible with a range of power management and switching components, fitting seamlessly into various circuit designs.

What are the implications of the gate threshold voltage range?

A gate threshold voltage of 1V to 2V allows for easy driving with standard signal levels, simplifying circuit designs and enhancing compatibility.

Is it suitable for high-frequency applications?

With a low gate charge of 48nC at 5V, it supports high-frequency switching applications, contributing to overall efficiency in power systems.