Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 919-4797
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFZ48NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB887.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB949.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB17.746 | THB887.30 |
| 100 - 150 | THB17.36 | THB868.00 |
| 200 + | THB16.974 | THB848.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 919-4797
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFZ48NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 8.77mm | |
| Length | 10.54mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.69 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 8.77mm | ||
Length 10.54mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.69 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET Series MOSFET, 64A Maximum Continuous Drain Current, 130W Maximum Power Dissipation - IRFZ48NPBF
This power MOSFET is suitable for high-efficiency applications, featuring robust performance and advanced processing methods. It provides a dependable option for a variety of electronic designs, especially in scenarios where power efficiency is essential.
Features & Benefits
• Supports continuous drain currents of up to 64A
• Utilises enhancement mode for improved switching characteristics
• Low RDS(on) of 14mΩ enhances efficiency
• Operates reliably within a temperature range of -55°C to +175°C
• Capable of handling gate-source voltages up to ±20V
• Fully avalanche rated for safety in transient conditions
Applications
• Driving inductive loads in automation systems
• Power management circuits in industrial equipment
• Automotive electrical systems and power converters
• DC-DC converters and power supplies
• Motor control requiring high efficiency
What is the maximum power dissipation capability?
The device can manage a maximum power dissipation of 130 W when adequately cooled, ensuring effective thermal management in high-load scenarios.
How does the operating temperature range affect performance?
The extensive operating temperature range of -55°C to +175°C allows the device to function reliably in a variety of environmental conditions.
Is this device compatible with standard PCB layouts?
Yes, it is available in a TO-220AB package, commonly used in industry for straightforward PCB mounting and efficient heat dissipation.
What applications benefit most from this component's fast switching speed?
Power MOSFETs with fast switching capabilities are ideal for applications such as switch mode power supplies and high-frequency converters, where low switching losses are crucial.
How should the device be handled during installation?
During installation, ensure proper mounting torque and avoid excessive soldering temperatures. It is recommended to adhere to standard safety guidelines to prevent damage.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFZ48NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI3205PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
