Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB887.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB949.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB17.746THB887.30
100 - 150THB17.36THB868.00
200 +THB16.974THB848.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-4797
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFZ48NPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

14mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

81nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

8.77mm

Length

10.54mm

Standards/Approvals

No

Width

4.69 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 64A Maximum Continuous Drain Current, 130W Maximum Power Dissipation - IRFZ48NPBF


This power MOSFET is suitable for high-efficiency applications, featuring robust performance and advanced processing methods. It provides a dependable option for a variety of electronic designs, especially in scenarios where power efficiency is essential.

Features & Benefits


• Supports continuous drain currents of up to 64A

• Utilises enhancement mode for improved switching characteristics

• Low RDS(on) of 14mΩ enhances efficiency

• Operates reliably within a temperature range of -55°C to +175°C

• Capable of handling gate-source voltages up to ±20V

• Fully avalanche rated for safety in transient conditions

Applications


• Driving inductive loads in automation systems

• Power management circuits in industrial equipment

• Automotive electrical systems and power converters

• DC-DC converters and power supplies

• Motor control requiring high efficiency

What is the maximum power dissipation capability?


The device can manage a maximum power dissipation of 130 W when adequately cooled, ensuring effective thermal management in high-load scenarios.

How does the operating temperature range affect performance?


The extensive operating temperature range of -55°C to +175°C allows the device to function reliably in a variety of environmental conditions.

Is this device compatible with standard PCB layouts?


Yes, it is available in a TO-220AB package, commonly used in industry for straightforward PCB mounting and efficient heat dissipation.

What applications benefit most from this component's fast switching speed?


Power MOSFETs with fast switching capabilities are ideal for applications such as switch mode power supplies and high-frequency converters, where low switching losses are crucial.

How should the device be handled during installation?


During installation, ensure proper mounting torque and avoid excessive soldering temperatures. It is recommended to adhere to standard safety guidelines to prevent damage.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง