Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 913-4705
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML5203TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB10,101.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,809.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

27,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB3.367	THB10,101.00
6000 - 9000	THB3.266	THB9,798.00
12000 +	THB3.168	THB9,504.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 913-4705
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML5203TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	165mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.02mm
	Width	1.4 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 165mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.02mm
	Width 1.4 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 3A Maximum Continuous Drain Current, 30V Maximum Drain Source Voltage - IRLML5203TRPBF

This MOSFET is a high-performance power device suitable for a range of applications in the electronics sector. Featuring a compact SOT-23 package, this P-channel device provides significant efficiency with a maximum continuous drain current of 3A and a drain-source voltage of 30V. With dimensions of 3.04mm in length, 1.4mm in width, and 1.02mm in height, it is well-suited for space-constrained designs.

Features & Benefits

• Capable of 30V drain-source voltage for versatile use

• Designed for surface mount for simplified PCB design

• Operates within a temperature range of -55°C to +150°C

• Utilises enhancement mode for reliable switching performance

Applications

• Utilised in battery management systems for optimal performance

• Used in portable electronics due to low-profile design

• Applied in load management solutions across various devices

• Suitable for advanced automation control systems

What is the significance of the low Rds(on) in this device?

The low Rds(on) ensures reduced power loss during operation, which enhances overall efficiency and maintains lower thermal levels in applications.

How does the power dissipation capability impact device performance?

The capability to dissipate up to 1.25W allows for effective heat management, ensuring the device operates reliably even under maximum load conditions without thermal failure.

What factors influence the selection of this MOSFET for a specific application?

Factors such as maximum continuous drain current, voltage ratings, and thermal characteristics should be considered to ensure compatibility with circuit requirements and performance expectations.