Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2244TRPBF
- RS Stock No.:
- 760-4438
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML2244TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB34.42
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB36.83
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 320 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 153,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB6.884 | THB34.42 |
| 750 - 1495 | THB6.714 | THB33.57 |
| 1500 + | THB6.61 | THB33.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 760-4438
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML2244TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.3W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-45-314 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.3W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Distrelec Product Id 304-45-314 | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 4.3A Maximum Continuous Drain Current, 20V Maximum Drain Source Voltage - IRLML2244TRPBF
This MOSFET is designed for robust performance in a compact SOT-23 package. With a maximum continuous drain current of 4.3A and a drain-source voltage of 20V, it is suitable for various applications in the automation, electronics, and electrical industries. The device features enhancement mode operation and offers reliable performance in high-temperature environments, maintaining functionality in temperatures up to +150°C.
Features & Benefits
• Low RDS(on) of 54mΩ minimises switching losses
• Compatible with industry-standard pinout for easy integration
• High reliability with a maximum power dissipation of 1.3W
• Narrow temperature range for optimal operational efficiency
• Reduced gate charge enhances overall efficiency
Applications
• Ideal for low-voltage switching in electronics
• Suitable for power management in DC-DC converters
• Utilised in motor control systems for automation equipment
• Used in power supply circuits for enhanced energy management
What is the significance of the low RDS(on) in this component?
The low RDS(on) significantly reduces the power losses during operation, leading to improved efficiency and performance, especially in switching applications.
How does the operating temperature range benefit circuit design?
An operating temperature range of -55°C to +150°C allows for versatility in applications, enabling the MOSFET to function reliably in various operating environments, from extreme cold to high heat.
What makes this device suitable for surface mount technology?
The compact SOT-23 package design and compatible pinout facilitate easy integration into PCB layouts, enhancing manufacturing efficiency and allowing for mass production.
Can this MOSFET be used in automotive applications?
Yes, due to its high thermal resistance and reliability at elevated temperatures, it is suitable for automotive applications where heat dissipation is critical.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2323DDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMP2045U-7
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMP2065UQ-7
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMP2070U-7
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMP2065U-7
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2323DDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
