Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2905ZTRPBF

RS Stock No.:: 915-5095
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-478
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLR2905ZTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2905ZTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB566.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB605.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 40 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 680 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 480	THB28.311	THB566.22
500 - 980	THB27.603	THB552.06
1000 +	THB27.179	THB543.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 915-5095
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-478
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLR2905ZTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.39mm
	Width	7.49 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.39mm
	Width 7.49 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2905ZTRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง