Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 42 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 913-4802
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR2905TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 4000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB2,752.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB45,812.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB49,018.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB22.906 | THB45,812.00 | - |
| 4000 - 6000 | THB22.218 | THB44,436.00 | THB2,752.00 |
| 8000 + | THB21.552 | THB43,104.00 | THB10,832.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 913-4802
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR2905TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -16V, +16V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +16V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2905TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR1010ZTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4104TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
