Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 913-4802
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLR2905TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB45,812.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB49,018.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 - 2000	THB22.906	THB45,812.00
4000 - 6000	THB22.218	THB44,436.00
8000 +	THB21.552	THB43,104.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 913-4802
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLR2905TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22 mm
	Height	2.39mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.22 mm
	Height 2.39mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง