Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 11 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 222-4615
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR9024NTRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB174,396.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB186,603.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB58.132 | THB174,396.00 |
| 6000 - 6000 | THB55.896 | THB167,688.00 |
| 9000 + | THB55.189 | THB165,567.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4615
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR9024NTRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.22mm | |
| Width | 6.73 mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.22mm | ||
Width 6.73 mm | ||
Height 2.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Advanced process technology
Ultra-low on-resistance Fast switching
Lead-Free, RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR9024NTRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252