Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 214-9128
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR4104TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB83,256.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB89,085.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB27.752	THB83,256.00
6000 - 9000	THB26.92	THB80,760.00
12000 +	THB26.112	THB78,336.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9128
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR4104TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Width	2.39 mm
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Width 2.39 mm
	Height 6.22mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR4104TRLPBF

The Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

It comes with Advanced Process Technology

The MOSFET is Lead-Free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง