Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK

RS Stock No.:: 913-3803
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLU024NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB1,027.425

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,099.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
75 - 75	THB13.699	THB1,027.43
150 - 225	THB13.401	THB1,005.08
300 +	THB13.103	THB982.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 913-3803
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLU024NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	IPAK
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	45W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.39 mm
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type IPAK
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 45W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.39 mm
	Height 6.22mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 17A Maximum Continuous Drain Current, 55V Maximum Drain Source Voltage - IRLU024NPBF

This MOSFET is a high-performance power device designed specifically for demanding applications within the electrical and mechanical industries. It features an enhancement mode configuration and operates effectively within a temperature range of -55°C to +175°C. With compact dimensions of 6.73mm in length, 2.39mm in width, and 6.22mm in height, it can be easily integrated into various electronic setups.

Features & Benefits

• Achieves a maximum continuous drain current of 17A

• Offers a maximum drain-source voltage of 55V

• Supports a maximum power dissipation of 45W

• Rugged design suitable for high-temperature applications

• Compatible with through-hole mounting for versatile installation

Applications

• Used in motor control systems for precise regulation

• Suitable for switch-mode power supplies for efficient energy conversion

• Effective in industrial automation equipment for reliable performance

• Utilised in consumer electronics for improved power management

• Ideal for power management circuits requiring high current

What is the significance of the on-resistance in this device?

The low Rds(on) of 65mΩ ensures minimal energy loss during operation, enhancing the overall efficiency of circuits designed using this specific device. This characteristic also supports the capacity for higher current without overheating issues in electronic applications.

How does this MOSFET perform in high-temperature environments?

This device is engineered to function reliably in temperatures ranging from -55°C to +175°C, making it suitable for environments that experience significant thermal stress, such as industrial machinery and automotive applications.

Can it handle pulsed drain currents?

Yes, the device supports pulsed drain currents up to 72A, providing flexibility in various dynamic switching applications where short bursts of high current are necessary.