Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRLU024NPBF
- RS Stock No.:
- 543-0591
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLU024NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB26.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28.41
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 18 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 18 | THB26.55 |
| 19 - 37 | THB25.88 |
| 38 + | THB25.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 543-0591
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLU024NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 2.39 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type IPAK | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 2.39 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||

Infineon HEXFET Series MOSFET, 17A Maximum Continuous Drain Current, 55V Maximum Drain Source Voltage - IRLU024NPBF
This MOSFET is a high-performance power device designed specifically for demanding applications within the electrical and mechanical industries. It features an enhancement mode configuration and operates effectively within a temperature range of -55°C to +175°C. With compact dimensions of 6.73mm in length, 2.39mm in width, and 6.22mm in height, it can be easily integrated into various electronic setups.
Features & Benefits
• Achieves a maximum continuous drain current of 17A
• Offers a maximum drain-source voltage of 55V
• Supports a maximum power dissipation of 45W
• Rugged design suitable for high-temperature applications
• Compatible with through-hole mounting for versatile installation
Applications
• Used in motor control systems for precise regulation
• Suitable for switch-mode power supplies for efficient energy conversion
• Effective in industrial automation equipment for reliable performance
• Utilised in consumer electronics for improved power management
• Ideal for power management circuits requiring high current
What is the significance of the on-resistance in this device?
The low Rds(on) of 65mΩ ensures minimal energy loss during operation, enhancing the overall efficiency of circuits designed using this specific device. This characteristic also supports the capacity for higher current without overheating issues in electronic applications.
How does this MOSFET perform in high-temperature environments?
This device is engineered to function reliably in temperatures ranging from -55°C to +175°C, making it suitable for environments that experience significant thermal stress, such as industrial machinery and automotive applications.
Can it handle pulsed drain currents?
Yes, the device supports pulsed drain currents up to 72A, providing flexibility in various dynamic switching applications where short bursts of high current are necessary.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU024NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR024NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR024NTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK
