Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V Enhancement, 3-Pin IPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 3000 ชิ้น)*

THB95,250.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB101,910.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
3000 +THB31.75THB95,250.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
262-6780
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFU4615PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

144W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง