Infineon BSP N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 4-Pin PG-SOT223 BSP135H6906XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 50 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 9%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB448.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB479.99

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 4,570 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
5 - 45THB89.718THB448.59-
50 - 95THB80.846THB404.239%
100 - 245THB64.912THB324.5627%
250 - 495THB63.576THB317.8829%
500 +THB53.214THB266.0740%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
260-5075
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-41-649
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSP135H6906XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

BSP

Package Type

PG-SOT223

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel MOSFET transistor operates in depletion mode. Its maximum power dissipation is 1.8 W. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

Depletion mode

dv or dt rated

Available with V GS(th) indicator on the reel

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง