Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 911-0926
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP170PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB12,200.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,050.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB12.20	THB12,200.00
2000 - 3000	THB11.834	THB11,834.00
4000 +	THB11.479	THB11,479.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-0926
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP170PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-223
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	300mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.6mm
	Length	6.5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-223
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.6mm
	Length 6.5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 1.9A Maximum Continuous Drain Current - BSP170PH6327XTSA1

This MOSFET is a P-channel enhancement device designed for surface-mount power switching in demanding automotive and industrial contexts. It handles negative gate-drive operation and suits circuits requiring moderate current handling and thermal endurance across a wide temperature range.

Features and Benefits:

• 60V drain voltage enables robust high-voltage switching
• 300mΩ Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 1.9A continuous current supports steady-state load delivery
• 10nC typical gate charge enables efficient drive control
• 1.8W maximum dissipation manages moderate thermal loads
• -55°C to 150°C operating range maintains function in extremes

Applications

• Suitable for load switching in automotive electronics
• Ideal for battery management and power-rail control
• Used with driver ICs for DC-DC conversion stages
• Can be used for polarity protection in vehicle systems
• Suitable for compact surface-mount power modules

What mounting style does it require for PCB assembly?

It is supplied in a SOT-223 package intended for surface-mount placement.

How many terminals are available for circuit connections?

The device uses a four-pin configuration to accommodate source, drain and gate connectivity.

What gate-voltage limits must be observed during design?

The gate-to-source voltage must not exceed ±20V to prevent device stress.

How does the component perform under automotive qualification standards?

It meets the AEC-Q101 automotive requirement for semiconductor devices used in vehicle systems.