Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 178-5070
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP315PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB10,099.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,806.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

9,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB10.099	THB10,099.00
2000 - 3000	THB9.796	THB9,796.00
4000 +	THB9.502	THB9,502.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-5070
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP315PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-223
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	800mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.2nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-0.97V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.6mm
	Width	3.5 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-223
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -0.97V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.6mm
	Width 3.5 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

BSP315P SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS^® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

· AEC Q101 Qualified (Please refer to datasheet)

· Pb-free lead plating, RoHS compliant

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง