Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 911-4791
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP171PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB12,797.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB13,693.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 20,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB12.797 | THB12,797.00 |
| 2000 - 3000 | THB12.413 | THB12,413.00 |
| 4000 + | THB12.04 | THB12,040.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 911-4791
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP171PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | SIPMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 300mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.5 mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series SIPMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.5 mm | ||
Height 1.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1.9A Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP171PH6327XTSA1
This MOSFET is designed for high-performance switching applications, utilising P-channel technology. With SIPMOS® technology, it ensures dependable operation in a compact SOT-223 package, making it a suitable option for automotive and industrial applications. The continuous drain current rating of 1.9A and a maximum voltage of 60V enhance its effectiveness in efficiently managing power across various uses.
Features & Benefits
• P-channel configuration supports low side switching applications
• Enhancement mode operation promotes efficient performance
• Surface mount design conserves valuable PCB space
• Rated for high temperatures up to +150°C, ensuring durability
• Low Rds(on) diminishes power loss during switching
Applications
• Load switching in automotive electronics
• Power management circuits for energy efficiency
• High-frequency requiring rapid switching
• Driving loads in consumer electronic devices
• Power supply circuits necessitating compact solutions
What is the maximum drain-source voltage this component can handle?
The component can withstand a maximum drain-source voltage of 60V, making it suitable for various applications.
How does this component perform at elevated temperatures?
It operates effectively at temperatures up to +150°C, providing performance in demanding environments.
Can it be used in battery-operated circuits?
Yes, its low Rds(on) significantly reduces power loss, making it well-suited for battery-operated devices.
What is the significance of the avalanche rating?
The avalanche rating indicates that the device can absorb energy spikes, enhancing its durability and reliability during transients.
How can I ensure proper installation on the PCB?
It is essential to follow the dimension specifications for the SOT-223 package and to implement adequate thermal management during installation.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP171PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP170PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP322PH6327XTSA1
