Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP171PH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 167-942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP171PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB224.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB240.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 20,630 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | THB22.43 | THB224.30 |
| 250 - 490 | THB21.87 | THB218.70 |
| 500 + | THB21.534 | THB215.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 167-942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP171PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SIPMOS | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 300mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.6mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 3.5 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-36-976 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SIPMOS | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.6mm | ||
Length 6.5mm | ||
Width 3.5 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-36-976 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1.9A Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP171PH6327XTSA1
Features & Benefits
Applications
What is the maximum drain-source voltage this component can handle?
How does this component perform at elevated temperatures?
Can it be used in battery-operated circuits?
What is the significance of the avalanche rating?
How can I ensure proper installation on the PCB?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP170PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP322PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP315PH6327XTSA1
