STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V-4

RS Stock No.:: 233-0472
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTWA35N65G2V-4
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V-4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 4%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB17,216.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB18,421.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

210 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
30 - 30	THB573.884	THB17,216.52	-
60 - 60	THB545.193	THB16,355.79	4%
90 +	THB517.934	THB15,538.02	9%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 233-0472
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTWA35N65G2V-4
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SCTWA35N65G2V-4
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	67mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	73nC
	Forward Voltage Vf	3.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Standards/Approvals	No
	Width	21.1mm
	Height	5.1mm
	Length	20.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SCTWA35N65G2V-4
	Package Type Hip-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 67mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC
	Forward Voltage Vf 3.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Standards/Approvals No
	Width 21.1mm
	Height 5.1mm
	Length 20.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTWA35N65G2V-4

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitances

Source sensing pin for increased efficiency

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V-4

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง