STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 233-0472
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA35N65G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB17,216.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB18,421.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB573.884 | THB17,216.52 |
| 60 - 60 | THB545.193 | THB16,355.79 |
| 90 + | THB517.934 | THB15,538.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-0472
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA35N65G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 67mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W | |
| Forward Voltage Vf | 3.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Length | 20.1mm | |
| Width | 21.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SCTWA35N65G2V-4 | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 67mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240W | ||
Forward Voltage Vf 3.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Length 20.1mm | ||
Width 21.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitances
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT 1 Type N-Channel MOSFET Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA40N12G24AG
- STMicroelectronics SCTW Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247