Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSZ042N06NSATMA1

RS Stock No.:: 906-4390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ042N06NSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSZ042N06NSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB456.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB488.77

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB45.679	THB456.79
1250 - 2490	THB44.537	THB445.37
2500 +	THB43.851	THB438.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 906-4390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ042N06NSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS 5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS 5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.4mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

Infineon OptiMOS 5 Series MOSFET, 60V Drain Source Voltage, 40A Continuous Drain Current - BSZ042N06NSATMA1

This MOSFET is a silicon N-channel enhancement device intended for high-power switching in surface-mount applications. It operates across a wide temperature span and is designed to handle substantial currents and voltages typical of power conversion and switching stages. The component is supplied in a low-profile TDSON package suitable for compact assemblies where thermal and electrical performance are required.

Features and Benefits:

• 60V drain rating enables robust mid-voltage switching
• 40A continuous current capability supports high-load circuits
• 6.3 mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 27 nC typical gate charge allows faster gate transitions
• 69W power dissipation permits sustained power handling

Applications

• Suitable for synchronous buck converter stages
• Ideal for motor driver half-bridge assemblies
• Used with DC-DC power modules in server supplies
• Can be used for battery management and charging circuits

What gate-drive considerations should I account for?

The typical gate charge of 27 nC at the specified gate voltage necessitates a driver capable of sourcing and sinking sufficient peak current to achieve the required switching speed without excessive transition losses.

How does the package affect thermal performance?

The TDSON 8-pin layout provides a low thermal-resistance path to the PCB, enabling effective heat transfer when used with appropriate copper area and thermal vias for elevated power dissipation.

What temperature range can it tolerate during operation?

It is rated to function across a wide operating-temperature window from deep cold to high-temperature environments, accommodating designs exposed to extreme conditions.

How is switching behaviour impacted by device characteristics?

The combination of low on-resistance and moderate gate charge balances low conduction losses with controllable switching transitions, making it suitable for efficiency-focused power stages.