Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC600N25NS3GATMA1
- RS Stock No.:
- 906-4303
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC600N25NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB641.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB686.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,510 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 1245 | THB128.33 | THB641.65 |
| 1250 - 2495 | THB125.122 | THB625.61 |
| 2500 + | THB123.20 | THB616.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 906-4303
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC600N25NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
Infineon OptiMOS 3 Series MOSFET, 250V Drain Source Voltage, 25A Continuous Drain Current - BSC600N25NS3GATMA1
This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for power switching in surface‑mount applications. It operates across an extended thermal range and is suited to circuits requiring robust drain‑to‑source voltage handling and moderate continuous current. The device is supplied in an 8‑pin TDSON package for compact board‑level integration.
Features and Benefits:
• 250V drain voltage enables high‑voltage switching applications
• 25A continuous current supports substantial load handling
• 60mΩ Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 22nC typical gate charge enables responsive switching performance
• 125W maximum power dissipation allows elevated thermal loading
• 25A continuous current supports substantial load handling
• 60mΩ Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 22nC typical gate charge enables responsive switching performance
• 125W maximum power dissipation allows elevated thermal loading
Applications
• Suitable for high‑voltage DC-DC converters on power boards
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used with motor‑drive stages requiring 25A handling
• Can be used for switch‑mode power supplies with tight footprints
• Appropriate for industrial switching circuits exposed to temperature extremes
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used with motor‑drive stages requiring 25A handling
• Can be used for switch‑mode power supplies with tight footprints
• Appropriate for industrial switching circuits exposed to temperature extremes
What gate voltage limits should be observed during design?
The gate‑source voltage must not exceed 20V to prevent gate‑oxide stress and ensure device reliability.
How does the channel type affect circuit topology choices?
As an N‑channel enhancement device, it is typically placed on the low‑side of switches or used in synchronous topologies for improved efficiency.
What thermal environment can it tolerate during operation?
The component functions from -55°C up to 150°C, permitting use in wide‑temperature installations where ambient conditions vary.
Which package mounting considerations are recommended?
The TDSON surface‑mount format requires appropriate PCB thermal pads and soldering profiles to manage heat dissipation and mechanical stability.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
