Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 911-0780
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC123N08NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB4,640.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB77,265.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB82,675.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB15.453 | THB77,265.00 | - |
| 10000 - 15000 | THB14.989 | THB74,945.00 | THB4,640.00 |
| 20000 + | THB14.539 | THB72,695.00 | THB18,280.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 911-0780
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC123N08NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 66W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.35mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 66W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.35mm | ||
Height 1.1mm | ||
Width 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC123N08NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC019N04NSGATMA1
