Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

RS Stock No.:: 911-0787
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC320N20NS3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB273,820.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB292,985.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB54.764	THB273,820.00
10000 - 15000	THB53.121	THB265,605.00
20000 +	THB51.527	THB257,635.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-0787
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC320N20NS3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	32mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.35mm
	Height	1.1mm
	Width	6.1 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 32mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.35mm
	Height 1.1mm
	Width 6.1 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง