Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

RS Stock No.:: 911-0787
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC320N20NS3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB273,820.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB292,985.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB54.764	THB273,820.00
10000 - 15000	THB53.121	THB265,605.00
20000 +	THB51.527	THB257,635.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-0787
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC320N20NS3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	OptiMOS 3
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	32mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.35mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series OptiMOS 3
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 32mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.35mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS 3 Series MOSFET, 200V Drain Source Voltage, 36A Continuous Drain Current - BSC320N20NS3GATMA1

This MOSFET is a high-voltage N-channel switching transistor designed for compact surface-mount power conversion and switching applications. It operates across a wide ambient range and is intended for duty in demanding thermal environments, providing a balance of blocking capability and current handling for medium-power designs.

Features and Benefits:

• 200V drain-source rating enables high-voltage switching capacity
• 36A continuous drain current supports substantial load currents
• 32mΩ low Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 125W maximum power dissipation permits high-power handling
• 22nC typical gate charge enables efficient gate-drive switching
• Vgs tolerance up to 20V allows flexible drive voltages

Applications

• Suitable for switch-mode power supplies in industrial systems
• Ideal for DC-DC converters requiring high-voltage switching
• Used for motor-drive stages with significant current demands
• Can be used for power-factor correction circuits in supplies
• Suitable for telecoms and server power delivery modules

What thermal extremes can the device withstand during operation?

It is specified to function from -55°C up to 150°C, accommodating wide temperature excursions in both cold-start and high-temperature environments.

How does the package influence PCB layout considerations?

The TDSON surface-mount package has a low profile and requires attention to thermal pad design for heat dissipation and correct soldering footprint to maintain thermal performance.

What gate-drive characteristics are needed for fast switching?

Expect to drive the gate up to 20V

the typical 22nC gate charge should be considered when selecting gate drivers to balance switching speed and drive energy.

How compact is the device for space-constrained assemblies?

The component occupies a small SMD footprint with a low 1.1mm height, supporting compact board designs while allowing adequate thermal handling when properly mounted.