Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS84PH6327XTSA2

RS Stock No.:: 892-2217
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS84PH6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS84PH6327XTSA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 250 ชิ้น)*

THB900.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB962.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 1,750 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 18,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
250 - 500	THB3.60	THB900.00
750 - 1250	THB3.528	THB882.00
1500 +	THB3.457	THB864.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 892-2217
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS84PH6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	170mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	0.9mm
	Length	2.9mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 170mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 0.9mm
	Length 2.9mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 60V Drain Source Voltage, 170mA Continuous Drain Current - BSS84PH6327XTSA2

This MOSFET is a P-channel transistor intended for low-power switching in surface-mounted electronic assemblies. It operates across a wide temperature span suitable for challenging environments and is designed for compact board-level installations where a P-channel device with moderate voltage rating is required.

Features and Benefits:

• 60V drain withstand provides high-voltage switching capability
• 12Ω RDS(on) enables controlled conduction for low-current paths
• 1nC typical gate charge reduces drive energy and switching losses
• 170mA continuous drain current supports sustained low-current loads
• 360mW maximum dissipation permits modest power handling in small packages

Applications

• Suitable for battery protection and reverse-polarity switching
• Ideal for low-current load switching in automotive modules
• Used with logic-level drivers in portable instrumentation
• Can be used for power-rail selection in compact control boards

What gate voltage limits should designers observe?

The gate-source rating is ±20V, so driver circuits must keep Vgs within that range to avoid device damage.

How does thermal performance influence PCB layout?

With 360mW dissipation, designers should provide adequate copper area and thermal vias to spread heat from the SOT-23 footprint.

Is this device suitable for automotive qualification?

The component meets AEC-Q101 standards, indicating it conforms to automotive-grade stress and screening levels.

What switching behaviour can be expected at high ambient temperatures?

The transistor remains operational from -55°C to 150°C, but RDS(on) and current capability should be verified at the upper temperature extreme for reliable operation.