Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 145-8801
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS83PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB10,602.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,343.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

33,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB3.534	THB10,602.00
6000 - 9000	THB3.428	THB10,284.00
12000 +	THB3.325	THB9,975.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-8801
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS83PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	330mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.38nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.9mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 330mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.38nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.9mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 3Ω Maximum Drain Source Resistance - BSS83PH6327XTSA1

This p-channel MOSFET is a surface-mount switching transistor designed for compact power-control roles in electronic assemblies. It operates as an enhancement-mode device suitable for low-current switching in systems that demand a wide operating temperature range and compatibility with automotive-grade requirements.

Features and Benefits:

• 60V drain-source rating enables higher-voltage switching applications
• 3Ω maximum Rds reduces conduction losses during on-state
• 330mA continuous drain current supports small-signal switching
• 2.38nC typical gate charge yields faster gate transitions
• 20V maximum gate-source voltage allows flexible gate drive levels
• AEC-Q101 qualification ensures suitability for automotive electronics

Applications

• Suitable for battery-management and load-disconnect circuits
• Ideal for signal switching in automotive sensor interfaces
• Used with low-power regulator and power-rail switching stages
• Can be used for polarity-reverse protection in compact devices
• Suitable for surface-mount prototypes and dense PCB layouts

What thermal extremes can the device tolerate in real-world use?

It is specified to operate from -55°C up to 150°C, enabling use in both cold-start and high-temperature environments without derating of basic functionality.

How does the package influence board-level assembly and layout?

The SOT-23 surface-mount package is compact and suited to automated placement, permitting tight component spacing and simplified thermal conduction to the PCB.

What power dissipation should designers expect under normal conditions?

The device has a maximum power dissipation of 360mW, which should be accounted for in thermal calculations and thermal pad design to prevent overheating.

How does the component’s gate charge affect switching performance?

A typical gate charge of 2.38nC minimises required gate-drive energy, improving switching speed and reducing driver current for low-frequency or pulse applications.