Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 911-4824
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SPD08P06PGBTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB27,472.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,395.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB10.989	THB27,472.50
5000 - 7500	THB10.659	THB26,647.50
10000 +	THB10.34	THB25,850.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-4824
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SPD08P06PGBTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SIPMOS
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	300mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Forward Voltage Vf	-1.55V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	6.22 mm
	Height	2.3mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SIPMOS
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Forward Voltage Vf -1.55V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 6.22 mm
	Height 2.3mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 8.8A Maximum Continuous Drain Current, 42W Maximum Power Dissipation - SPD08P06PGBTMA1

This MOSFET is designed for applications requiring efficient switching and control. It can handle continuous drain currents of 8.8A and a drain-source voltage of 60V, suitable for various electronic circuits. The device operates effectively within a broad temperature range, enhancing performance in challenging environments.

Features & Benefits

• Enhanced mode operation ensures efficient switching performance

• High power capacity caters to strong electronic applications

• Low Rds(on) minimises energy losses during operation

• Utilises DPAK package for effective surface mount applications

Applications

• Applicable in automotive electronic controls for high reliability

• Ideal for power management systems in industrial equipment

• Suitable for battery management systems in electric vehicles

• Utilised in inverter technology for renewable energy systems

• Used in electronic switching devices for consumer products

What are the implications of using a P-channel configuration?

P-channel configurations facilitate easy integration in high-side switch applications, providing convenient control within circuits.

How does the thermal performance affect longevity?

The capability to operate at up to +175°C enhances reliability and contributes to a longer lifespan in harsh environments.

What is the significance of the AEC-Q101 qualification?

This qualification confirms its suitability for automotive applications, meeting stringent reliability and safety standards.

Can this be used in conjunction with other MOSFETs?

Yes, it can be integrated with other components to create complementary circuits for efficient multi-switching applications.

What factors influence the power dissipation in this device?

Key factors include ambient temperature, drain current, and duty cycle during operation, all affecting overall thermal performance.