Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 165-8011
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SPD30P06PGBTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB67,547.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB72,275.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

7,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB27.019	THB67,547.50
5000 - 7500	THB26.208	THB65,520.00
10000 +	THB25.422	THB63,555.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-8011
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SPD30P06PGBTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SIPMOS
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	75mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Forward Voltage Vf	-1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22 mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SIPMOS
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 75mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Forward Voltage Vf -1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.22 mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard AEC-Q101

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: CN

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS^® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A Plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

· AEC Q101 Qualified (Please refer to datasheet)

· Pb-free lead plating, RoHS compliant

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง