Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205STRLPBF

RS Stock No.:: 831-2809
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF3205STRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205STRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB475.67

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB508.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

210 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 50 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 190	THB47.567	THB475.67
200 - 390	THB46.379	THB463.79
400 +	THB45.664	THB456.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 831-2809
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF3205STRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	200W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	146nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Width	9.65 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 200W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 146nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Width 9.65 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205STRLPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง