Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 919-4763
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF3205PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,285.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,375.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB25.707	THB1,285.35
100 - 150	THB25.148	THB1,257.40
200 +	THB24.59	THB1,229.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4763
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF3205PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	200W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	146nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	8.77mm
	Length	10.54mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.69 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 200W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 146nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 8.77mm
	Length 10.54mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.69 mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 110A Maximum Continuous Drain Current, 55V Maximum Drain Source Voltage - IRF3205PBF

This HEXFET MOSFET is a high-performance power electronics component designed for demanding applications. It features an N-channel configuration with a maximum continuous drain current of 110A and a maximum drain-source voltage of 55V. The TO-220AB package ensures efficient thermal management and is suitable for use in a variety of industrial settings.

Features & Benefits

• Capable of operating at high temperatures up to +175°C

• Offers fast switching characteristics for improved performance

• Excellent avalanche rating for added durability

• Enhancement mode design provides stable operation

• Designed for ease of use in through-hole mounting

Applications

• Used for power conversion in power supplies

• Suitable for motor control

• Utilised in battery management systems

• Applied in high-frequency switching circuits

• Integrated into consumer electronics power systems

What thermal characteristics should be considered for this component?

The thermal resistance from junction-to-case is 0.75°C/W, and the case-to-sink can be as low as 0.50°C/W when applied to a flat, greased surface. This is essential for maintaining optimal performance during high-load scenarios.

How can the specifications influence overall performance?

The low on-resistance and high continuous drain current capability allow for reduced power loss and improved thermal efficiency, leading to enhanced reliability in various applications.

What methods can be applied for effective heat dissipation?

Utilising a heatsink in conjunction with the TO-220AB package can vastly improve heat dissipation during operation, ensuring that the device remains within safe thermal limits.