Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP064NPBF
- RS Stock No.:
- 541-0008
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 303-41-342
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP064NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB81.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB87.17
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 308 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 350 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 6 | THB81.47 |
| 7 - 12 | THB79.43 |
| 13 + | THB78.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 541-0008
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 303-41-342
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP064NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20.3mm | |
| Width | 5.3 mm | |
| Distrelec Product Id | 30341342 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20.3mm | ||
Width 5.3 mm | ||
Distrelec Product Id 30341342 | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 110A Maximum Continuous Drain Current, 200W Maximum Power Dissipation - IRFP064NPBF
This MOSFET represents a high-performance electronic component designed for efficient power management. It can handle a continuous drain current of 110A and a maximum drain-source voltage of 55V, making it suitable for use in automation, electronics, and electrical industries. The enhancement mode design ensures optimal performance under various conditions, highlighting its role in contemporary electronic systems.
Features & Benefits
• Low on-resistance of 8mΩ enhances efficiency
• Maximum power dissipation of 200W ensures robust operation
• Capable of withstanding operating temperatures up to +175°C
• Versatile, compatible with both negative and positive gate-source voltages
• Single transistor configuration supports a variety of applications
Applications
• Used in power supply circuits that require high efficiency
• Common in motor control systems for automation
• Appropriate for telecommunications equipment
• Effective in power conversion systems in industrial environments
What is the maximum power dissipation for this component?
The maximum power dissipation is 200W, which supports robust performance across diverse applications.
Can it operate in high-temperature environments?
Yes, it is capable of functioning effectively at temperatures up to +175°C, making it suitable for challenging conditions.
What type of gate voltage is required for operation?
This device operates with a maximum gate-source voltage range of -20V to +20V, allowing for flexible control options.
How does the channel type influence its performance?
The N-channel type is beneficial for applications needing efficient switching and high current handling.
Is it suitable for through-hole design integrations?
Yes, it has a TO-247AC package with a through-hole mounting type, making installation straightforward in various setups.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3205PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3205ZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205ZSTRLPBF
- Infineon AUIRF Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF3205ZSTRL
