Infineon AUIRF N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF3205ZSTRL
- RS Stock No.:
- 229-1728
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF3205ZSTRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB3,174.40
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB41,273.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44,162.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | THB51.592 | THB41,273.60 | - |
| 1600 - 1600 | THB49.608 | THB39,686.40 | THB3,174.40 |
| 2400 + | THB48.979 | THB39,183.20 | THB6,271.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1728
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF3205ZSTRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | AUIRF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series AUIRF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AUIRF N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF3205ZSTRL
- Infineon AUIRF N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 15-Pin DirectFET AUIRF8739L2TR
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3205PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP064NPBF