Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 168-8747
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLL2705TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB31,280.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33,470.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB12.512	THB31,280.00
5000 - 7500	THB12.136	THB30,340.00
10000 +	THB11.772	THB29,430.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-8747
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLL2705TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.1W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.7mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.7 mm
	Height	1.739mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.1W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.7mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.7 mm
	Height 1.739mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MY

Infineon HEXFET Series MOSFET, 5.2A Maximum Continuous Drain Current, 2.1W Maximum Power Dissipation - IRLL2705TRPBF

This high-performance MOSFET is designed for efficient power management across various applications. With an N-channel configuration, it provides excellent switching capabilities, making it suitable for tasks that require quick response and minimised energy loss. This component enhances the efficiency and reliability of electronic circuits, especially in automation and control systems.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 5.2A

• Drain-source voltage rating of 55V

• Low Rds(on) of 65mΩ for efficient operation

• Compact SOT-223 package for space-saving designs

Applications

• Ideal for power supply circuits

• Utilised in automotive power management systems

• Commonly employed for switching in high-frequency circuits

• Integrates well in power inverters for renewable energy systems

What is the maximum voltage this component can handle?

The product supports a maximum drain-source voltage of 55V, allowing for robust performance in various applications.

Can it operate at high temperatures?

Yes, it is rated for a maximum operating temperature of +150°C, ensuring reliability in challenging environments.

How does this component manage heat during operation?

With a maximum power dissipation of 2.1W, it effectively manages thermal performance, reducing the risk of overheating.

Is it compatible with standard PCB designs?

This component is suitable for surface mount technology, enabling easy integration into standard PCB layouts.

What makes this a suitable choice for automation projects?

Its Rapid switching capability and low on-resistance contribute to significant energy savings, enhancing the efficiency of automated systems.