Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9540NSTRLPBF
- RS Stock No.:
- 827-3931
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-44-456
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9540NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB326.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB349.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 130 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 230 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 190 | THB32.62 | THB326.20 | - |
| 200 - 390 | THB31.804 | THB318.04 | 2% |
| 400 + | THB31.316 | THB313.16 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-3931
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-44-456
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9540NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 117mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 9.65mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 117mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Width 9.65mm | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9540NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9540NPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP9140NPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5210STRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9530NSTRLPBF
