Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP9140NPBF

RS Stock No.:: 542-9816
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-84-056
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFP9140NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP9140NPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB82.83

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB88.63

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 225 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 35 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 6	THB82.83
7 - 12	THB80.75
13 +	THB79.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 542-9816
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-84-056
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFP9140NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	117mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	97nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15.9mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.3 mm
	Height	20.3mm
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	30284056

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 117mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 97nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15.9mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.3 mm
	Height 20.3mm
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 30284056

Infineon HEXFET Series MOSFET, 23A Maximum Continuous Drain Current, 140W Maximum Power Dissipation - IRFP9140NPBF

This high-power MOSFET is designed for efficient switching performance in various applications. It is ideal for power electronics, combining a high continuous drain current capability with low resistance, facilitating dependable and precise control in automation and electrical systems across multiple operational environments.

Features & Benefits

• P-Channel configuration allows for flexible circuit designs

• Maximum continuous drain current of 23A

• 100V drain-source voltage rating enhances safety

• Low RDS(on) of 117mΩ reduces power loss

• Suitable for enhancement mode applications ensuring stable performance

Applications

• Utilised in motor control for improved efficiency

• Ideal for energy management systems that require high reliability

• Common in power supply circuits for robust operation

• Employed in switching regulators for effective power conversion

• Suitable for industrial automation systems requiring dependable switching

What is the maximum gate threshold voltage for the device?

It has a maximum gate threshold voltage of 4V, suitable for diverse circuit designs.

How does the RDS(on) value impact performance?

The low RDS(on) value of 117mΩ minimises energy losses, enhancing efficiency and thermal management in applications.

What types of circuits can benefit from this MOSFET?

It is appropriate for both linear and switching circuits, making it versatile for varied electronic applications.

What is the typical gate charge required for operation?

The MOSFET requires a typical gate charge of 97nC at a gate-source voltage of 10V for optimal performance.

What are the implications of the maximum operating temperature?

With a maximum operating temperature of +175°C, this device is suitable for high-temperature environments, improving its reliability in challenging conditions.